半导体存储器装置及其制造方法

Abstract

本申请案涉及半导体存储器装置及其制造方法。一种半导体存储器装置包含第一半导体层;堆叠主体,其包含堆叠于第一方向上的多个电极层;金属层,其在所述第一方向上提供于所述第一半导体层与所述堆叠主体之间;第二半导体层,其在所述第一方向上延伸穿过所述堆叠主体及所述金属层,且被电连接到所述第一半导体层。

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